焊點(diǎn)，是芯片封裝中最脆弱卻又是最關(guān)鍵的連接。熱循環(huán)、功率循環(huán)等工況下的反復(fù)熱脹冷縮，往往成為引發(fā)焊點(diǎn)疲勞裂紋、導(dǎo)致整機(jī)失效的“隱形殺手"。我們以仿真+測(cè)試為核心技術(shù)路徑，構(gòu)建了完整的焊點(diǎn)可靠性正向設(shè)計(jì)與壽命預(yù)測(cè)體系，助力高可靠電子產(chǎn)品從“經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)"邁向“科學(xué)設(shè)計(jì)"[1]。

圖 焊點(diǎn)熱疲勞失效

圖 焊點(diǎn)熱疲勞根因

研究核心

       ● 目標(biāo)：預(yù)測(cè)焊點(diǎn)在實(shí)際服役工況下的熱疲勞壽命，支撐設(shè)計(jì)優(yōu)化與材料選型。

       ● 手段融合：數(shù)值仿真 + 加速試驗(yàn) + SEM + EBSD + 失效分析

       ● 成果導(dǎo)向：在設(shè)計(jì)階段提前發(fā)現(xiàn)潛在風(fēng)險(xiǎn)，縮短研發(fā)周期，降低驗(yàn)證成本。

我們的技術(shù)路徑——焊點(diǎn)熱疲勞壽命仿真正向設(shè)計(jì)流程

       將“物理試驗(yàn)后置"，讓“數(shù)字仿真前置"——在計(jì)算機(jī)里試錯(cuò)，而不是在實(shí)驗(yàn)室里。

       通過有限元分析與疲勞壽命模型（Darveaux、Coffin-Manson等[2]），實(shí)現(xiàn)：

       ● 多封裝結(jié)構(gòu)建模與參數(shù)化優(yōu)化

       ● 溫度循環(huán) / 功率循環(huán)加載下的損傷計(jì)算

       ● 基于能量累積或塑性應(yīng)變的壽命預(yù)測(cè)

       ● 材料與幾何參數(shù)靈敏度分析

應(yīng)用案例精選

Ⅰ. 壽命評(píng)估與健康管理方向

核心目標(biāo)：建立壽命預(yù)測(cè)模型 → 支撐維修、運(yùn)維與可靠性決策。

代表案例：

● 案例1｜動(dòng)車組網(wǎng)絡(luò)模塊TQFP板卡焊點(diǎn)壽命評(píng)估及維修指導(dǎo)

通過仿真與測(cè)試結(jié)合（溫度循環(huán) + 金相切片），預(yù)測(cè)服役壽命，為“基于壽命"的維修策略提供定量依據(jù)。

方向特征：面向服役階段的可靠性評(píng)估與健康管理

Ⅱ. 材料與工藝選型優(yōu)化方向

核心目標(biāo)： 研究不同封裝材料（如 Underfill、焊料）和工藝參數(shù)對(duì)焊點(diǎn)可靠性的影響。

代表案例：

● 案例1｜FC-BGA 封裝 Underfill 材料選型指導(dǎo)

通過熱循環(huán)仿真比較 UF1 / UF2 應(yīng)力與損傷累積，定量揭示 Underfill 材料參數(shù)對(duì)應(yīng)力分布和壽命的影響規(guī)律[3]。

Ⅲ. 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與幾何優(yōu)化方向

核心目標(biāo)： 通過幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化降低焊點(diǎn)局部應(yīng)力與損傷累積，實(shí)現(xiàn)壽命提升。

代表案例：

● 案例1｜QFP 器件引腳結(jié)構(gòu)優(yōu)化

定量分析引線寬度、平直搭接長(zhǎng)度、站高對(duì)應(yīng)力的影響，確定較優(yōu)尺寸[5]。

我們能為您提供

       ● 芯片封裝與模組級(jí)焊點(diǎn)熱疲勞壽命評(píng)估

       ● 材料選型與封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)

       ● 可靠性驗(yàn)證方案設(shè)計(jì)與失效分析服務(wù)

       ● 仿真與測(cè)試結(jié)合的正向可靠性設(shè)計(jì)全流程支持

       從設(shè)計(jì)開始構(gòu)建可靠性，我們用仿真與測(cè)試讓每一個(gè)焊點(diǎn)都“經(jīng)得起時(shí)間的熱循環(huán)"。

參考文獻(xiàn)

[1] Lau JH, Lee N-C. Assembly and Reliability of Lead-Free Solder Joints. Singapore: Springer Singapore; 2020.

[2] Darveaux R. Effect of simulation methodology on solder joint crack growth correlation. 2000 Proc. 50th Electron. Compon. Technol. Conf. Cat No00CH37070, Las Vegas, NV, USA: IEEE; 2000, p. 1048–58.

[3] Kuo C-T, Yip M-C, Chiang K-N. Time and temperature-dependent mechanical behavior of underfill materials in electronic packaging application. Microelectron Reliab 2004;44:627–38.

[4] 王樹起. 疊層芯片封裝可靠性分析與結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化. PhD Thesis. 哈爾濱理工大學(xué), 2008.

[5] 姚震. QFP器件引腳尺寸對(duì)焊點(diǎn)可靠性影響仿真分析. PhD Thesis. 哈爾濱工業(yè)大學(xué), n.d.