

簡(jiǎn)要描述:蔡司Sigma 360場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡是一款直觀的成像和分析FE-SEM,是分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選。從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,均提供專業(yè)向?qū)?,為您保駕護(hù)航,助您探索直觀的成像工作流。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | ZEISS/蔡司 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 場(chǎng)發(fā)射 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子/電池,電氣 |
蔡司Sigma系列產(chǎn)品集場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)技術(shù)與良好的用戶體驗(yàn)于一體,可輕松實(shí)現(xiàn)成像和分析程序,提高工作效率。 您可以將其用于新材料和顆粒的質(zhì)量監(jiān)測(cè),或用于生物和地質(zhì)樣品的研究。在高分辨率成像方面精益求精——采用低電壓,在1 kV或更低電壓下獲得更佳的分辨率和襯度。它出色的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可執(zhí)行高級(jí)顯微分析,以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數(shù)據(jù)。
使用Sigma系列,暢游納米分析世界。
Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM,是分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選。
Sigma 560采用EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì),可提供高通量分析,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)原位實(shí)驗(yàn)。
分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選,直觀的圖像采集
從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,均提供專業(yè)向?qū)В瑸槟q{護(hù)航,助您探索直觀的成像工作流。
可在1 kV和更低電壓下分辨差異,實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和優(yōu)化的襯度。
可在特殊條件下執(zhí)行可變壓力成像,獲得出色的非導(dǎo)體成像結(jié)果。

從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,每一步都清晰明了
即使您是新手用戶,也能輕松獲得專業(yè)結(jié)果。Sigma系列可迅速獲取圖像,易于學(xué)習(xí)和使用的工作流程可節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間,簡(jiǎn)化從導(dǎo)航到后期處理的每個(gè)步驟,讓您如虎添翼。
蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動(dòng)化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。
接下來(lái),ZEN core便可大顯身手:它配備針對(duì)具體任務(wù)的工具包,適用于后期處理。我們十分推薦基于機(jī)器學(xué)習(xí)的人工智能工具包,它可助您進(jìn)行圖像分割,將多模式實(shí)驗(yàn)與Connect Toolkit相結(jié)合,此外,Materials應(yīng)用程序還能分析微觀結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或涂層厚度。

增強(qiáng)的分辨率,優(yōu)化的襯度
光學(xué)鏡筒是成像和分析性能的關(guān)鍵。Sigma配備蔡司Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng),可對(duì)任何樣品提供出色的成像分辨率,尤其是在低電壓條件下。
蔡司Sigma 360場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡的低電壓分辨率目前規(guī)定500 V時(shí)為1.9 nm。通過大幅度降低色差,1 kV時(shí)的分辨率已提升10%以上,可達(dá)。
現(xiàn)在成像比以往任何時(shí)候都輕松,無(wú)論是要求嚴(yán)苛的樣品,還是在可變壓力(VP)模式下采用背散射探測(cè)。

用于分析和成像的NanoVP lite模式
全新的 NanoVP lite模式和探測(cè)器可輕松在低于5 kV的條件下從絕緣材料中獲得高質(zhì)量數(shù)據(jù)。
這樣就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能,提供更多表面敏感信息,縮短采集時(shí)間,增強(qiáng)入射電子束流,提高能譜面分布速度。
aBSD1(環(huán)形背散射電子探測(cè)器)或新一代C2D(級(jí)聯(lián)電流)探測(cè)器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。
高通量分析,原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化
對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析:基于SEM的高速分析。
實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化:無(wú)人值守測(cè)試的全集成實(shí)驗(yàn)室。
可在低于1 kV的條件下完成要求嚴(yán)苛的樣品成像:采集完整的樣品信息。

EDS:通用、高速,助您深入研究
Sigma 560的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可提高分析效率。兩個(gè)180°徑向相對(duì)的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下,也能實(shí)現(xiàn)高通量無(wú)陰影元素分布成像。
樣品倉(cāng)的附加EBSD和WDS端口不局限于滿足EDS分析。
不導(dǎo)電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進(jìn)行分析,并能獲得更強(qiáng)的信號(hào)和更高的襯度。
全新的aBSD4探測(cè)器可輕松實(shí)現(xiàn)表面形貌復(fù)雜樣品的圖像采集。

無(wú)人值守測(cè)試的全集成實(shí)驗(yàn)室
Sigma原位實(shí)驗(yàn)室是一種全集成式解決方案,它可以不依賴操作人員,通過無(wú)人值守的自動(dòng)化工作流進(jìn)行加熱和拉伸測(cè)試。
通過對(duì)納米級(jí)別的特征進(jìn)行三維分析進(jìn)一步擴(kuò)展您的工作流:執(zhí)行三維STEM斷層成像或基于人工智能的圖像分割。

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
在1 kV或甚至在500 V時(shí)實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析:Sigma 560的低電壓分辨率規(guī)定500 V時(shí)為1.5 nm。
在全新的NanoVP lite模式下,使用新型aBSD或C2D探測(cè)器在可變壓力下輕松拍攝高要求樣品,加速電壓可低至3 kV。
正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀(強(qiáng)烈推薦)和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙,防止您的樣品室受到污染。

Gemini光學(xué)鏡筒截面示意圖,包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測(cè)器和Gemini物鏡。
Gemini 1的光學(xué)系統(tǒng)由三個(gè)元件組成:物鏡、電子束推進(jìn)器和具有Inlens探測(cè)原理的探測(cè)器。其中,物鏡的設(shè)計(jì)將靜電場(chǎng)與磁場(chǎng)的作用力相結(jié)合,大大優(yōu)化光學(xué)性能的同時(shí),降低了樣品所處的場(chǎng)影響。如此也可實(shí)現(xiàn)對(duì)磁性材料等具有挑戰(zhàn)性的樣品的高品質(zhì)成像。Inlens探測(cè)原理通過對(duì)二次電子(SE)和/或背散射電子(BSE)的探測(cè)來(lái)確保高效的信號(hào)檢測(cè),同時(shí)大幅縮短獲取圖像的時(shí)間。電子束推進(jìn)器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。

Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測(cè)器截面示意圖
Sigma配備了一系列不同的探測(cè)器,通過新探測(cè)技術(shù)對(duì)您的樣品進(jìn)行表征。使用ETSE和Inlens探測(cè)器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。使用VPSE或C2D探測(cè)器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。使用aSTEM探測(cè)器可進(jìn)行高分辨率透射電子成像。 采用不同的可選BSE探測(cè)器(如aBSD探測(cè)器)可以深入研究樣品的成分和表面形貌。

標(biāo)準(zhǔn)VP(左)和NanoVP lite(右)模式,氣體分布(粉紅色),電子束裙邊(綠色)。
采用NanoVP lite模式進(jìn)行分析和成像,在低電壓條件下可獲得更高的圖像質(zhì)量,更快速地獲取更準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)。
在NanoVP lite模式下,裙邊效應(yīng)降低且入射束流的路徑長(zhǎng)度(BGPL)減小。裙邊減小會(huì)提高SE和BSE成像的信噪比。
帶有五段圓弧的伸縮式aBSD可提供出色的材料成分襯度:在NanoVP lite工作過程中,該探測(cè)器配備了安裝在極靴下方的束流套管,其可提供高通量及低電壓的成分和表面形貌高襯度成像,適用于可變壓力和高真空條件。
探索聚合物、纖維、二硫化鉬等材料樣品的圖像。
對(duì)斷裂的聚苯乙烯樣品表面進(jìn)行成像,以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。
Sigma 560, 3 kV,60 Pa樣品倉(cāng)壓力下的NanoVP lite模式,C2D G2。
由德國(guó)科隆大學(xué)無(wú)機(jī)化學(xué)研究所的V. Brune博士提供。
用于藥物傳遞的MSC膠囊(中空介孔二氧化硅)。背散射成像顯示了二氧化硅納米膠囊中的氧化鐵顆粒。Sigma 560,HDBSD,5 kV。
以低電壓成像的碳納米管(CNT)。Sigma 560,500 V,Inlens SE探測(cè)器。
氧化鋁(Al2O3)球體。在500 V表面信息敏感條件下高分辨率成像,可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度,某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560,500 V,Inlens SE。
電池正極鋁箔顆粒表面。利用材料成分襯度識(shí)別Li-NMC上的粘合劑(較暗的材料),使用aBSD成像。
利用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)在Si/SiO2基材上生長(zhǎng)的MoS22D晶體:RISE圖像呈現(xiàn)出MoS2晶體的褶皺和重疊部分(綠色)、多層(藍(lán)色)及單層(紅色)結(jié)構(gòu),圖像寬度32 µm。
鋼原位加熱和拉伸實(shí)驗(yàn)。同步執(zhí)行SEM成像和EBSD分析,以深入研究應(yīng)力應(yīng)變曲線。
了解更多有關(guān)原生動(dòng)物或真菌的微觀和納米結(jié)構(gòu)信息,獲取切面樣品或薄片上的超微結(jié)構(gòu)。
在1 kV高真空條件下,使用ETSE探測(cè)器輕松完成放射蟲精細(xì)鏤空結(jié)構(gòu)成像,圖像寬度183 µm。
在1 kV高真空條件下對(duì)蘑菇真菌孢子成像。使用Sigma 500可以在低電壓下對(duì)這些精巧脆弱的結(jié)構(gòu)輕松成像。
由挪威卑爾根大學(xué)薩斯海洋分子生物學(xué)中心的Anna Seybold和Harald Hausen提供。
固著海洋生物苔蘚蟲Tricellaria inopinata的超微結(jié)構(gòu),觀察視野為30 μm。使用蔡司Sigma 560采集,Sense BSD探測(cè)器,1 kV,30 pA。
由UCL眼科研究所的Peter Munro博士和Hannah Armer提供。
使用連續(xù)切面成像技術(shù)自動(dòng)采集的3D大腦超微結(jié)構(gòu)。星形細(xì)胞(青色)被識(shí)別和分割。
探索巖石、礦石和金屬。
在20 kV下使用YAG-BSD成像的巖石樣品,由于YAG晶體的光傳導(dǎo)性能可高速采集圖像。
硫化鎳礦石。礦物EDS面分布圖,圖像寬度3.1 mm。樣品由英國(guó)萊徹斯特大學(xué)提供。
鐵礦石礦物分析:鐵礦石礦物的拉曼光譜分析,掃描電子顯微鏡圖像和拉曼圖疊加。(赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色;針鐵礦為淡藍(lán)色)。
鐵礦石礦物分析,拉曼光譜:赤鐵礦光譜的差異表征了其晶體取向的不同。(赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色;針鐵礦為淡藍(lán)色)。
含石榴石片麻巖的定量EDS主要元素?zé)釄D(Ca),突出了關(guān)鍵礦物中的地球化學(xué)分區(qū)。
了解如何對(duì)金屬、合金和粉末進(jìn)行研究。
在40 Pa可變壓力模式下,使用C2D探測(cè)器輕松完成對(duì)顏料和遮光劑用非導(dǎo)電二氧化tai顆粒的成像,圖像寬度10 µm。
在20 kV的暗場(chǎng)模式下,使用aSTEM探測(cè)器對(duì)25 – 50 nm氧化鐵顆粒成像。
在1 kV下使用aBSD對(duì)超導(dǎo)合金樣品成像。(比例尺20 µm)
氧化鋅枝晶:檢測(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)電極的形態(tài)變化。Sigma,ETSE,5 kV。
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