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汽車智能電器盒測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn) ■ 硬件及軟件均為NGI自主研發(fā)，實(shí)現(xiàn)“交鑰匙工程”，后期維護(hù)升級(jí)一站式服務(wù) ■ 硬件為模塊化設(shè)計(jì)，可擴(kuò)展性強(qiáng) ■ 硬件超高集成度，節(jié)省寶貴空間 ■ 高可靠性設(shè)計(jì)，模擬負(fù)載設(shè)有MOS保護(hù)電路 ■ 軟件自動(dòng)化程度高，界面操作便捷友好 ■ 測(cè)試條件變更靈活，用戶可任意編輯各通道的通斷時(shí)間和電流值等關(guān)鍵參數(shù) ■ 測(cè)試結(jié)果一目了然，支持圖形、數(shù)據(jù)等多種呈現(xiàn)方式

NES6100電力儲(chǔ)能BMS測(cè)試系統(tǒng)采用全NGI自主研發(fā)的測(cè)試儀器搭建而成，系統(tǒng)架構(gòu)包括電池模擬器、直流電源、電流換向器、可編程溫度模擬卡、絕緣電阻卡、高速數(shù)字IO卡、CAN通訊卡、繼電器卡等，儀器外形、通訊協(xié)議、通訊接口等均采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，具有高擴(kuò)展性和可維護(hù)性，兼具全球通 全網(wǎng)通，模塊化設(shè)計(jì)，高精度 高集成等優(yōu)勢(shì)?？蓮V泛應(yīng)用于研發(fā)制造、第三方檢測(cè)、系統(tǒng)集成等各行業(yè)客戶。

NXI數(shù)據(jù)采集與測(cè)量系統(tǒng)是基于NXI架構(gòu)開發(fā)的模塊化數(shù)據(jù)采集與測(cè)量平臺(tái)，用于自動(dòng)收集、處理并記錄來自物理世界的各種信號(hào)和事件。該系統(tǒng)通過傳感器、轉(zhuǎn)換器和其他調(diào)理組件將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信息，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)復(fù)雜過程的有效監(jiān)控和管理?？蓮V泛應(yīng)用于新能源、汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化、科學(xué)研究等多個(gè)領(lǐng)域。

STS6200數(shù)字集成電路測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn) 最高測(cè)試速率200MHz,存儲(chǔ)深度128M。 具備512通道高速數(shù)字管腳,支持48通道高壓選配。 百皮秒級(jí)定時(shí)邊沿分辨率,提供精確的時(shí)序波形。 內(nèi)置Per Pin TMU單元,具備納秒級(jí)時(shí)間參數(shù)測(cè)試能力。

STS8205混合信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)適用于通用A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器、模擬開關(guān)、運(yùn)算放大器（含功率運(yùn)放）、電壓比較器、電源管理器件（電壓調(diào)整器、多端智能穩(wěn)壓器、精密電壓基準(zhǔn)、脈寬調(diào)制器PWM、DC轉(zhuǎn)換控制電路、電源監(jiān)控電路等）、數(shù)字電位計(jì)、驅(qū)動(dòng)電路、收發(fā)器、壓頻/頻壓轉(zhuǎn)換器、采樣保持器、電壓跟隨器、時(shí)基電路、達(dá)林頓陣列等模擬與混合類器件的交、直流參數(shù)測(cè)試。

STS8203S半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司在全新一代測(cè)試系統(tǒng)STS8200測(cè)試平臺(tái)上開發(fā)的系列測(cè)試產(chǎn)品之一。本系統(tǒng)可用于各類二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽(yáng)二極管及多陣列器件等各類分立器件的功能和交參數(shù)測(cè)試。

STS8204S繼電器綜合參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是北京華峰測(cè)控技術(shù)有限公司開發(fā)的STS8200系列測(cè)試產(chǎn)品之一。系統(tǒng)用于中小型電磁繼電器常規(guī)參數(shù)、絕緣參數(shù)的測(cè)試，也可用于固體繼電器直流參數(shù)和開關(guān)時(shí)間參數(shù)的測(cè)試，

NX2020功率器件雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)是測(cè)試N/P溝道型IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，系統(tǒng)滿足美軍標(biāo)MIL-STD-750F·3470，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOS、二極管的雪崩耐量。